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就在今天 SK 海力士公司发布了一篇新闻，文章中表示该公司成功的开发出业界首款 1C DDR5，也就是第六代 10nm 工艺的 DDR5。随着科技的飞速发展，内存技术也在不断革新，其中第六代 10nm DDR5 DRAM 无疑是近年来内存领域的重要里程碑。

1C DDR5

第六代 10nm DDR5 DRAM 是基于最新制造工艺和技术标准开发的动态随机存取存储器（DRAM）。与前几代内存相比，第六代 DDR5 DRAM 在数据传输速率、能效、容量和稳定性等方面都有了显著提升。

在半导体制造中，10 纳米级技术代表了芯片制造过程中所使用的晶体管尺寸，这个尺寸的缩小意味着可以在相同的芯片面积上集成更多的晶体管，从而提升芯片的性能和能效。1C DDR5 采用该技艺制造的话将会有更强的性能表现。

在新闻中海力士公司提到“随着 10 纳米级 DRAM 技术的世代相传，微细工艺的难度也随之加大，但公司以通过业界最高性能得到认可的第五代（1b）技术力为基础，提高了设计完成度，率先突破了技术极限。公司将在年内完成 1c DDR5 DRAM 的量产准备，从明年开始供应产品，引领半导体存储器市场发展。“

海力士公司利用 1b DRAM 平台扩展的方式开发了 1c 工艺，并且还表明将在明年开始供应产品，那明年购买的 DDR5 可能会有比较大的提升，当然价格方面可能也会有所升高。

有关 1c DDR5 的性能，在新闻中又有所提及，此次 1c DDR5 DRAM 将主要用于高性能数据中心，其运行速度为 8Gbps（每秒8千兆比特），与前一代相比速度提高了 11%。另外能效也提高了 9% 以上。

有兴趣的朋友可能看一下新闻原文：https://news.skhynix.com.cn/sk-hynix-develops-industry-first-1c-ddr5/

结论

1c DDR5 以更先进的制造工艺，为内存技术树立了新的标杆。无论是在高性能计算、人工智能、5G通信还是数据中心领域，这款内存都展现出了强大的应用潜力。